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... nm Laserdiode kann im Nanosekunden-Pulsbereich eine hohe Leistung von bis zu 75 mW erreichen. Die meisten schlüsselfertigen Dioden- und Treiberlösungen sind für Single-Shot- bis Dauerstrichleistungen mit Pulsbreiten von ...
Sperrspannung: 1.200, 1.700, 650, 1.300 V
Temperaturbereich: -40 °C - 210 °C
... einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Im Gegensatz zu Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen der trr-Wert mit der Temperatur ansteigt, behalten Siliziumkarbid-Dioden (SiC) außerdem konstante ...
... CAES bietet eine breite Palette von RF-Detektoren für Ihre Designs, einschließlich BIT, Schottky-Diode, Schwellenwert- und Tunneldiode. CAES RF-Detektoren sind in einer Vielzahl von Konfigurationen erhältlich, die entweder ...
Sperrspannung: 60 V
Temperaturbereich: -55 °C - 200 °C
... Die CLA4605-085LF ist eine oberflächenmontierbare Silizium-PIN-Begrenzerdiode mit geringer Kapazität, die als PIN-Diode im Nebenschluss für Hochleistungsbegrenzeranwendungen von 10 MHz bis über 6 GHz konzipiert ist. Der ...
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