Diodo Schottky SD11801

tipo puentede alta tensiónde gran velocidad de conmutación

■ 200°C Funcionamiento ■ Alta tensión de bloqueo con baja RDS(on)Envases herméticos Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de Solitron van de 650 V a 1700 V e incluyen configuraciones simples, dobles y de puente. Disponibles en una amplia variedad de encapsulados, incluido el hermético, ofrecen a los diseñadores una alta eficiencia y lo último en tecnología robusta. La carga capacitiva total (Qc) es pequeña, lo que reduce la pérdida de conmutación y permite un funcionamiento de conmutación de alta velocidad. Además, a diferencia de los diodos de recuperación rápida basados en Si, en los que la trr aumenta con la temperatura, los diodos de carburo de silicio (SiC) mantienen unas características constantes, lo que se traduce en un mejor rendimiento. Los encapsulados herméticos TO-258 con funcionamiento a 200°C hacen que estos diodos de SiC de 650 V a 1700 V sean ideales para fuentes de alimentación, controles de motores y aplicaciones que requieran el menor tamaño, el menor peso y los mayores niveles de eficiencia. Se dispone de apantallamiento de nivel COTS, TX, TXV y S. Se pueden solicitar configuraciones y embalajes personalizados, incluidos módulos de alimentación. Consulte la serie PowerMOD de Solitron para obtener información adicional.