Diode PIN 808LD series
de signald'impulsionhaute puissance

Diode PIN - 808LD series - AERODIODE - de signal / d'impulsion / haute puissance
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Caractéristiques

Technologie
PIN
Fonction
de signal
Spécification électrique
haute puissance, d'impulsion
Tension inverse

2 V

Plage de température

Min: -20 °C
(-4 °F)

Max: 70 °C
(158 °F)

Description

Ces diodes lasers à 808 nm couplées sur fibres sont proposées en stock ou associées à un pilote de diode laser en régime impulsionnel ou continu. Ils sont compatibles avec nos pilotes de diode laser mais aussi avec nos pilotes haute puissance en régime continu et impulsionnels pour les versions avec diode laser multimode. La diode laser 808 nm peut atteindre une puissance élevée en régime d’impulsion nanoseconde jusqu’à 400 mW. La plupart des solutions de type “diode + pilote” sont optimisées pour des performances allant du mono-coup au régime continu avec des durées d’impulsions pouvant descendre à la nanoseconde. Les impulsions en sortie de la diode laser à 808 nm sont générées en interne par un générateur d’impulsions intégré ou à la demande à partir d’un signal TTL externe. 4 versions multimodes sont proposées pour une émission Continu e ou impulsionnelle jusqu’à 60 W en coeur 100 µm ou 100 W en fibre multimode coeur 200 µm. Caractéristiques principales de la diode laser 808 nm (faites défiler vers le bas pour voir toutes les versions et tous les prix) : Toutes les versions sont couplées dans une fibre optique monomode ou multimode Cinq modèles : 1 monomode et 6 multimodes haute puissance Plusieurs options pour la version monomode : fibre PM, Fiber Bragg Grating pour obtenir un dispositif 808 nm bien centré, collimateur optique etc.

Catalogues

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.