Diodo Schottky SD11801
a pontedi alta tensionea grande velocità di commutazione

diodo Schottky
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Caratteristiche

Tecnologia
Schottky
Montaggio
a ponte
Specifiche elettriche
di alta tensione, a grande velocità di commutazione
Caratteristiche tecniche
SiC, a recupero veloce
Tensione inversa

650 V, 1.200 V, 1.300 V, 1.700 V

Range di temperatura

Max.: 210 °C
(410 °F)

Min.: -40 °C
(-40 °F)

Descrizione

■ 200°C Funzionamento alta tensione di blocco con bassa RDS(on)Pacchetti ermetici I diodi Schottky in carburo di silicio (SiC) di Solitron vanno da 650V a 1700V e comprendono configurazioni singole, doppie e a ponte. Disponibili in un'ampia gamma di confezioni, comprese quelle ermetiche, offrono ai progettisti un'elevata efficienza e la massima robustezza tecnologica. La carica capacitiva totale (Qc) è piccola e riduce la perdita di commutazione, consentendo un funzionamento ad alta velocità. Inoltre, a differenza dei diodi a recupero rapido basati su Si, in cui il trr aumenta con la temperatura, i diodi in carburo di silicio (SiC) mantengono caratteristiche costanti, con conseguenti migliori prestazioni. I contenitori ermetici TO-258 con funzionamento a 200°C rendono questi diodi SiC da 650V a 1700V ideali per alimentatori, controlli motore e applicazioni che richiedono dimensioni ridotte, peso ridotto e livelli di efficienza elevati. È disponibile una schermatura COTS, TX, TXV e S. Su richiesta sono disponibili configurazioni e confezioni personalizzate, compresi i moduli di potenza. Per ulteriori informazioni, consultare la serie PowerMOD di Solitron.

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Cataloghi

SD11801
SD11801
3 Pagine
SD11804
SD11804
3 Pagine
SD11803
SD11803
3 Pagine
Ricerche correlate
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.