AERODIODEのダイオード
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... 高出力パルスレーザーダイオード30モデル。 LIDARレーザーダイオードとして3つの主要波長が最適化されている(905nmパルスレーザーダイオード、940nmパルスレーザーダイオード、1470パルスレーザーダイオード)。 パルス幅、ピークパワー、繰り返し周波数など、すべてのパラメータは提供される詳細GUIで調整可能です。 1ナノ秒までの立ち上がり/立ち下がり時間 最大デューティ・サイクルは、目標とするピーク電力レベルによって異なります。 すべての高出力パルスレーザーダイオードモジュールは、標準的 ...
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逆電圧: 2 V
温度域: 10 °C - 55 °C
これらのファイバー結合450nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 マルチモード高出力レーザーダイオード用の空冷式高速ナノ秒パルスドライバーまたは高出力CWドライバーと互換性があります。 シングルモード450nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大60mWの高出力に達することができる。 ...
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逆電圧: 2 V
温度域: -20 °C - 75 °C
... 波長で8モデル:2シングルモード・ファブリー・ペロー、3シングルモードDFB、3マルチモード シングルモード・モデルで最大700mWのCW出力;マルチモード・モデルで100Wの出力 シングルモードモデルでは、ファイバーから最大1500mWのピーク出力 100kHzまでの狭いスペクトル幅(CWに最適化されたDFBシングルモードバージョン) すべてのシングルモードレーザーダイオードモデルは、PMファイバー(偏波保持ファイバー)を持ち、バタフライパッケージ内にフォトダイオードを含み、広い動作温度範囲 ...
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逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C
... 1490nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 2つのモデルは40mWまでの単一周波数バージョン(DFBレーザーダイオード)です。 また、当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があるため、通信、分光、3Dセンシングの研究開発に最適なソリューションです。 これらのシングルモード1490nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大60mWの高出力に達することができる。 ...
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逆電圧: 2 V
温度域: -20 °C - 60 °C
これらのファイバー結合型520nmレーザーダイオードは、在庫品として提供されます。 またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーに関連する。 urの新しい14ピン「DIL」パッケージ(TEC付き)、そのバタフライアダプテーションキットは、あらゆるバタフライレーザーダイオードドライバーボードに実装することができます。 ...
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逆電圧: 2 V
温度域: 0 °C - 70 °C
... これらのファイバー結合1070nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。弊社の低ノイズCWまたは高速ナノ秒パルスドライバと互換性があります。TECコントローラ付きターンキーレーザーモジュールも、オープンまたは統合バージョンで提供されます。 1070nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大675mWの高出力に達します。ほとんどのターンキーダイオード+ドライバーソリューションは、パルス幅1ナノ秒までのシングルショット ...
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逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C
... 1510nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 2つのモデルは40mWまでの単一周波数バージョン(DFBレーザーダイオード)です。 また、当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があるため、通信、分光、3Dセンシングの研究開発に最適なソリューションです。 これらのシングルモード1510nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大60mWの高出力に達することができる。 ...
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逆電圧: 2 V
温度域: -40 °C - 60 °C
これらのファイバー結合660nmレーザーダイオードは在庫品として提供されます。 またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーに関連する。 マルチモード高出力レーザーダイオード用の空冷式高速ナノ秒パルスドライバーまたは高出力CWドライバーと互換性があります。 660nmのレーザーダイオードは、シングルモードでは最大150mW、マルチモードでは最大10Wの高出力に達します。 ...
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逆電圧: 2 V
温度域: 0 °C - 70 °C
... これらのファイバー結合1075nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。弊社の低ノイズCWまたは高速ナノ秒パルスドライバと互換性があります。TECコントローラ付きターンキーレーザーモジュールも、オープンまたは統合バージョンで提供されます。 1075nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大600mWの高出力に達することができます。ほとんどのターンキーダイオード+ドライバーソリューションは、パルス幅が1ナノ秒までのシングルショット ...
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逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C
これらのファイバー結合1525nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 2モデルとも30mWまでの単一周波数バージョン。 これらは当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があり、電気通信、3Dセンシング、量子R&Dに最適なソリューションです。 シングルモード1525nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で30mWまでの高出力に達することができる。 ...
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逆電圧: 1,200, 1,700, 650, 1,300 V
温度域: -40 °C - 210 °C
... ソリトロンの炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードは、650V~1700Vの範囲で、シングル、デュアル、ブリッジ構成があります。ハーメチックパッケージを含む多様なパッケージで入手可能で、設計者に高効率と究極の堅牢技術を提供します。全容量電荷(Qc)が小さいため、スイッチング損失が低減され、高速スイッチング動作が可能になります。さらに、温度とともにtrrが増加するSiベースのファストリカバリー・ダイオードとは異なり、炭化ケイ素(SiC)ダイオードは一定の特性を維持するため、より優れた性能を発揮 ...

逆電圧: 60 V
温度域: -55 °C - 200 °C
... CLA4605-085LFは、表面実装可能な低キャパシタンスのシリコンPINリミッタダイオードで、10MHzから6GHz以上のハイパワーリミッタアプリケーション用のシャント接続PINダイオードとして設計されています。 10mAでの最大抵抗値は2Ω、6Vでの最大静電容量は0.45pFです。CLA4605-085LF は、低接合容量、低寄生インダクタンス、低熱抵抗、公称 ...

... CAESは、BIT、ショットキー・ダイオード、スレッショルド、トンネル・ダイオードなど、お客様の設計に適したRFディテクタを幅広く提供しています。 CAESのRFディテクタは、ショットキーダイオードまたはトンネルダイオードデバイスを使用した多様な構成でご利用いただけます。実装構成は、「ボルトチャンネル」デバイスから、完全に接続されたものまで幅広く、一般的に高度にカスタマイズされた機能が要求されます。パッケージングスタイルは、ストリップライン、マイクロストリップ、コネクテッドアプリケーションに対応 ...
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