周波数ダイオード

逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C

これらのファイバー結合1490nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 2つのモデルは40mWまでの単一周波数バージョン（DFBレーザーダイオード）です。 また、当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があるため、通信、分光、3Dセンシングの研究開発に最適なソリューションです。 これらのシングルモード1490nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大60mWの高出力に達することができる。 ...

逆電圧: 2 V
温度域: 0 °C - 70 °C

... これらのファイバー結合1070nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。弊社の低ノイズCWまたは高速ナノ秒パルスドライバと互換性があります。TECコントローラ付きターンキーレーザーモジュールも、オープンまたは統合バージョンで提供されます。 1070nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大675mWの高出力に達します。ほとんどのターンキーダイオード+ドライバーソリューションは、パルス幅1ナノ秒までのシングルショットからCW性能に最適化されています。1070nmレーザーダイオードの高精度パルスは、オンボードのパルスジェネレータによって内部で生成されるか、または外部TTL信号からオンデマンドで生成されます。 ...

逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C

これらのファイバー結合1510nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 2つのモデルは40mWまでの単一周波数バージョン（DFBレーザーダイオード）です。 また、当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があるため、通信、分光、3Dセンシングの研究開発に最適なソリューションです。 これらのシングルモード1510nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大60mWの高出力に達することができる。 ...

逆電圧: 2 V
温度域: 0 °C - 70 °C

... これらのファイバー結合1075nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。弊社の低ノイズCWまたは高速ナノ秒パルスドライバと互換性があります。TECコントローラ付きターンキーレーザーモジュールも、オープンまたは統合バージョンで提供されます。 1075nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大600mWの高出力に達することができます。ほとんどのターンキーダイオード+ドライバーソリューションは、パルス幅が1ナノ秒までのシングルショットからCWまでの性能に最適化されています。1075nmレーザーダイオードの高精度パルスは、オンボードパルスジェネレータによって内部で生成されるか、または外部TTL信号からオンデマンドで生成されます。ここで使用されている2つの技術の詳細については、ファイバー結合レーザーダイオードのチュートリアルをご覧ください：Fabry ...

逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C

これらのファイバー結合1525nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。 2モデルとも30mWまでの単一周波数バージョン。 これらは当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があり、電気通信、3Dセンシング、量子R&Dに最適なソリューションです。 シングルモード1525nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で30mWまでの高出力に達することができる。 ほとんどのターンキー・ダイオード＋ドライバ・ソリューションは、パルス幅1ナノ秒までのシングル・ショットからCW性能まで最適化されています。 ...

逆電圧: 2 V
温度域: 0 °C - 70 °C

... これらのファイバー結合1080nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。弊社の低ノイズCWまたは高速ナノ秒パルスドライバと互換性があります。TECコントローラ付きターンキーレーザーモジュールも、オープンまたは統合バージョンで提供されます。 1080nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大600mWの高出力に達します。ほとんどのターンキーダイオード+ドライバーソリューションは、パルス幅1ナノ秒までのシングルショットからCW性能まで最適化されています。1080nmレーザーダイオードの高精度パルスは、オンボードパルスジェネレータによって内部で生成されるか、または外部TTL信号からオンデマンドで生成されます。ここで使用されている2つの技術の詳細については、ファイバー結合レーザーダイオードのチュートリアルをご覧ください：Fabry ...

逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C

これらのファイバー結合1530nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。2つのモデルは40mWまでの単一周波数バージョン（DFBレーザーダイオード）です。 また、当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があるため、通信、分光、3Dセンシングの研究開発に最適なソリューションです。 これらのシングルモード1530nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大60mWの高出力に達することができる。 ...

逆電圧: 2 V
温度域: 0 °C - 70 °C

... これらのファイバー結合1085nmレーザーダイオードは、在庫品として、またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。弊社の低ノイズCWまたは高速ナノ秒パルスドライバと互換性があります。TECコントローラ付きターンキーレーザーモジュールも、オープンまたは統合バージョンで提供されます。 1085nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大600mWの高出力に達することができます。ほとんどのターンキーダイオード+ドライバーソリューションは、パルス幅が1ナノ秒までのシングルショットからCWまでの性能に最適化されています。1085nmレーザーダイオードの高精度パルスは、オンボードパルスジェネレータによって内部で生成されるか、または外部TTL信号からオンデマンドで生成されます。ここで使用されている2つの技術の詳細については、ファイバー結合レーザーダイオードのチュートリアルをご覧ください：Fabry ...

逆電圧: 15 V
温度域: -20 °C - 60 °C

これらのファイバー結合1535nmレーザーダイオードは、在庫品として、または低ノイズCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーと組み合わせて提供されます。全2モデルは30mWまでの単一周波数バージョンです。 これらは当社の高速ナノ秒パルスドライバと互換性があり、電気通信、3Dセンシング、量子R&Dに最適なソリューションです。 シングルモード1535nmレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で30mWまでの高出力に達することができる。 ほとんどのターンキー・ダイオード＋ドライバ・ソリューションは、パルス幅1ナノ秒までのシングル・ショットからCW性能まで最適化されています。 ...