Díodo Schottky SD11801
tipo pontede alta tensãode alta velocidade de comutação

díodo Schottky
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Características

Tipo de tecnologia
Schottky
Montagem
tipo ponte
Especificações elétricas
de alta tensão, de alta velocidade de comutação
Características técnicas
SiC, de recuperação rápida
Tensão inversa

650 V, 1.200 V, 1.300 V, 1.700 V

Faixa de temperatura

MÁX: 210 °C
(410 °F)

MÍN: -40 °C
(-40 °F)

Descrição

■ 200°C Funcionamento alta tensão de bloqueio com baixo RDS(on)Embalagens herméticas Os díodos Schottky de carboneto de silício (SiC) da Solitron variam entre 650 V e 1700 V e incluem configurações simples, duplas e em ponte. Disponíveis numa grande variedade de embalagens, incluindo herméticas, oferecem aos projectistas uma elevada eficiência e a última palavra em tecnologia robusta. A carga capacitiva total (Qc) é pequena, reduzindo a perda de comutação, permitindo o funcionamento de comutação a alta velocidade. Além disso, ao contrário dos díodos de recuperação rápida baseados em Si, em que o trr aumenta com a temperatura, os díodos de carboneto de silício (SiC) mantêm características constantes, o que resulta num melhor desempenho. As embalagens herméticas TO-258 com funcionamento a 200°C tornam estes díodos SiC de 650V a 1700V ideais para fontes de alimentação, controlos de motores e aplicações que requerem o menor tamanho, o menor peso e os mais elevados níveis de eficiência. Estão disponíveis os níveis de seleção COTS, TX, TXV e S. Configurações e embalagens personalizadas, incluindo módulos de potência, estão disponíveis mediante solicitação. Consulte a série PowerMOD da Solitron para obter informações adicionais.

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Catálogos

SD11801
SD11801
3 Páginas
SD11804
SD11804
3 Páginas
SD11803
SD11803
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